导读：通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上...下面是蓝宝石和硅导热率，LED灯芯片基底到底是蓝宝石氮化镓还是硅的详细诠释。

LED灯芯片基底到底是蓝宝石氮化镓还是硅

LED灯芯片基底到底是蓝宝石氮化镓还是硅 2012-12-1 29:4 9:00发布者：成都朝月光电科技有限公司 目前民用LED灯市场正处于爆发之前的瓶颈期，各大LED灯芯片厂都度日如年，有的LED灯公司捱不过最后一个冬天死在春天之前，就算没死的也都瘦了一圈，问题关键是在春天到来之前还要死一批，其中芯片基底路线选择决定了是生是死。 华灿光电副总裁边迪斐认为这（指LED灯芯片基底路线选择）还是一个谜，就像手机操作系统一样，赛班当年可谓是如日中天，仰慕追求者如过江之鱼，可是到今天，几乎是死定了，不过是苟延残喘而已。苹果的ios去年还是身份与地位的象征，现在已经有了衰败之象，安卓系统似乎是明日之星，没一台安卓手机简直就像是从火星归来的侨胞，太OUT了。 蓝宝石基底胜在使用者最多，其情形类似于安卓系统，技术也在不断发展，PSS（蓝宝石图形化蚀刻）技术尤其引人注目，可以大幅提高光电转换效率。氮化镓历来是优质的代表，但其成本却一直是个谜，而且有科锐严密的专利保护，其他厂家难以进入，其情况类似于苹果的io s。而硅基底则有如天外飞仙一般，从看似不可能的地方杀出，不过其出光率与良品率一直都不理想，至少暂时还看不到商业上的竞争力，不过很多新的霸主都曾经经过这样一关，似乎又在暗示着什么。 LED灯芯片基底路线选择对于终端灯具厂家来说根本不是什么问题，谁好我就用谁，但对于芯片厂家来说则是大事，生死存亡不得不察。据成都朝月光电刘工介绍，由于存在生死压力，各芯片厂家都耗费巨资研发改进技术，已求得最终的胜利，这对于降低芯片成本又起到推波助澜的作用，可以加快LED灯普及的步伐，LED灯公司难免在一旁偷偷幸灾乐祸。 不过等芯片战役告一段落后，就该轮到LED灯厂家下海竞争了，一样会是生死之战，八万厂家投身战场，能活下来的只怕不到八千。 通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点： 首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好； 其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中； 最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题，例如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011ω·c m，在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和p型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率降低、成本增加。由于p型gan掺杂困难，当前普遍采用在p型gan上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的光，同时gan基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备，这将会增加生产成本。蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在led器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割（从400μm减到100μm左右）。添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。蓝宝石的导热性能不是很好（在100℃约为25w/（m·k））。因此在使用led器件时，会传导出大量的热量；特别是对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。为了克服以上困难，很多人试图将gan光电器件直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。

如何用热导仪测蓝宝石

从热导仪原理说，它能鉴定钻石是因为钻石有远远强过别的仿制品（除了合成碳化硅）的热导性。而玉石类热导性都差不多，所以热导仪是无法分辨各种玉石的。而且，玉石价值不光在于真假，还在于成色，同样是翡翠砖头料和帝王料可以差五六个零的，所以若是为了检测玉石类建议不购买热导仪。好的手电筒和10x放大镜倒是更有用。 如果你是按热导仪后面的温度与大小先调节好准备质，测得金属与bao石是不可能都是全亮，声音是有可以有的，但如果是亮柱到顶发出的声音，与亮柱不到顶发出的声音是不一样的。 热导仪只是一种便捷式的小设备，从理论上说不可能完全准确，如果你不放心，可以去当地的bao石鉴定站鉴定一下。

求教各位大虾,为什么制作led芯片要用SiC或蓝宝石衬底?

l确切的说是GaN-led芯片采取蓝宝石或者si c，这是因为GaN没有体块材料，无法同质外延。只能采取异质外延的方法生长。蓝宝石的话价格低廉，外延技术成熟。而SiC由于其和GaN晶格失配小，热导率高，非常适宜高功率led制备。 你好！ SiC及GaN为代表的宽禁带材料，是继Si和GaAs之 后的第三代半导体。与Si相比，SiC具有宽禁带?Si的2～3倍、高热导 率?Si的3．3倍、高击穿场强?Si的10倍、高饱和电子漂移速率? Si的2．5倍、化学性能稳定、高硬度、抗磨损以及高键合能等优点。所以， SiC特别适合于制造高温、高频、高功率、抗辐射、抗腐蚀的电子器件。 我的回答你还满意吗~~ 同是异质材料生长为GaN基