导读：(2)源气体的扩散过程：参与反应的物质通过扩散，穿过边界层到达生长表面(衬底表面)...下面是蓝宝石基板粗化，蓝宝石基板用于生产LED外延片时,对蓝宝石表面粗糙度的要求是多少的详细诠释。

蓝宝石基板用于生产LED外延片时,对蓝宝石表面粗糙度的要求是多少.

表明粗糙值，1和0.3对于外延生长是没有差别的。因为这个数值不是决定外延生长的关键数值。重要的是TOTALTHICKNESSVARIATION和BOW两个数值。这2个数值范围越小越好 看你LED适合哪种了 再看看别人怎么说的。

采用MOCVD技术在蓝宝石上生长GaN的具体过程是怎么样的?蓝宝石.

具体流程是: 1、MOCVD设备点检 2、向mocvd里loadlingPSS基板 3、Run磊晶Recipe 4、UnloadlingWafer 5、WaferPL量测 生长过程是： (1)反应源混合物输运到外延生长区; (2)源气体的扩散过程：参与反应的物质通过扩散，穿过边界层到达生长表面(衬底表面)； (3)物理吸附过程：反应物沿表面台阶物理吸附在高温衬底表面上： (4)热分解、化学反应过程：吸附分子间或吸附物与气体分子间发生化学反应 生成构成晶体的原子和气体副产物： (5)化学吸附，并入晶格的过程：构成晶体的原子沿衬底表面扩散到达衬底表 面上晶格的某些折角或台阶处结合进入到晶体点阵中； (6)副产物的脱附过程：聚集在生长表面的副产物不断地通过脱附，扩散穿出 边界层进入到主气流中被排除出系统。 你好！ 半导体超薄层微结构材料是基于先进在GaN／Si上成功地研制出LED发光器件在蓝、绿光发光二极管（LED)和紫、蓝具体目标是，“十五”末，在半导体 我的回答你还满意吗~~