蓝宝石衬板加工，求问做蓝宝石衬底切片加工的,那几家公司做的好

发布时间：2024-05-03 02:46:29

导读：1、氮化镓衬底：用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延片膜的晶体品质，降低位元错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度...下面是蓝宝石衬板加工，求问做蓝宝石衬底切片加工的,那几家公司做的好的详细诠释。

求问:做蓝宝石衬底切片加工的,那几家公司做的好?

毫无疑问切磨抛是一个高难度的工艺，目前大陆厂商较为知名的有云南蓝晶约300w片/年、重庆四联光电约240W片/年、其他都只是才开始或者产量较小。其中四联收购了霍尼韦尔在欧洲的厂房，技术得到提升。世界范围内如图协鑫光电你好！东晶电子希望对你有所帮助，望采纳。

蓝宝石衬底制造具体前景如何,是否已经投资重复过多

你问的有点模糊，前景是问蓝宝石行业的前景，还是你自己的前景，如果是蓝宝石这个行业的话，我也看不透，曾经辉煌的光伏不是都要倒闭了么，不过一两年内的话应该还好吧，如果问你自己做这一行的前景的话，我想问你是做长晶还是做晶棒加工还是做晶圆加工，还有就是你是做工艺还是做设备或者是做管理，你这些没说清楚我没法帮你这个行业不错啊，现在的LED发展的很好，尤其是大功率的LE D，很受欢迎。但是蓝宝石衬底好像供应不足，上次报道蓝宝石衬底已经涨了50%，现在做芯片的越来越多，而且LED得产品也多元化了，所以很有前景，但是你要调查蓝宝石衬底是不是也有很多厂家进入，不要盲目。谢谢。

蓝宝石项目LED用衬底晶圆这么生产?

楼主说的是蓝宝石衬底吧？一般加工流程来讲是以下的情况：长晶:利用长晶炉生长尺寸大且高品质的单晶蓝宝石晶体定向:确保蓝宝石晶体在掏棒机台上的正确位置,便于掏棒加工掏棒:以特定方式从蓝宝石晶体中掏取出蓝宝石晶棒滚磨:用外圆磨床进行晶棒的外圆磨削,得到精确的外圆尺寸精度品检:确保晶棒品质以及以及掏取后的晶棒尺寸与方位是否合客户规格定向:在切片机上准确定位蓝宝石晶棒的位置,以便于精准切片加工切片:将蓝宝石晶棒切成薄薄的晶片研磨:去除切片时造成的晶片切割损伤层及改善晶片的平坦度倒角:将晶片边缘修整成圆弧状,改善薄片边缘的机械强度,避免应力集中造成缺陷抛光:改善晶片粗糙度,使其表面达到外延片磊晶级的精度清洗:清除晶片表面的污染物(如:微尘颗粒,金属,有机玷污物等) 品检:以高精密检测仪器检验晶片品质(平坦度,表面微尘颗粒等),以合乎客户要求希望对您有用。

LED用蓝宝石衬底材料有哪几种?

LED用衬底材料一般有蓝宝石衬底，碳化硅衬底及硅衬底三种，其中蓝宝石衬底应用最广泛，因为其加工方法以及加工成本等与其他两种相比较都有不小的优势。虽说在晶格匹配上面是氮化镓衬底砷化镓衬底最为匹配，但其生产加工方法要比碳化硅及硅等都更难上加难。当前用于GaN基LED的衬底材料比较多，但是能用于商品化的衬底目前只有两种，即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如Ga N、S i、ZnO衬底还处于研发阶段，离产业化还有一段距离。　　一、红黄光LED 　　红光LED以GaP(二元系)、AlGaAs(三元系)和AlGaInP(四元系)为主，主要采用GaP和GaAs作为衬底，未产业化的还有蓝宝石Al2O3和硅衬底。　 1、GaAs衬底：在使用LPE生长红光LED时，一般使用AlGaAs外延层，而使用MOCVD生长红黄光LED时，一般生长AlInGaP外延结构。外延层生长在GaAs衬底上，由于晶格匹配，容易生长出较好的材料，但缺点是其吸收这一波长的光子，布拉格反射镜或晶片键合技术被用于消除这种额外的技术问题。　　 2、GaP衬底：在使用LPE生长红黄光LED时，一般使用GaP外延层，波长范围较宽565-700nm;使用VPE生长红黄光LED时，生长GaAsP外延层，波长在630-650nm之间;而使用MOCVD时，一般生长AlInGaP外延结构，这个结构很好的解决了GaAs衬底吸光的缺点，直接将LED结构生长在透明衬底上，但缺点是晶格失配，需要利用缓冲层来生长InGaP和AlGaInP结构。另外，GaP基的I-N-V材料系统也引起广泛的兴趣，这种材料结构不但可以改变带宽，还可以在只加入0.5%氮的情况下，带隙的变化从间接到直接，并在红光区域具有很强的发光效应(650nm)。采用这样的结构制造LE D，可以由GaNP晶格匹配的异质结构，通过一步外延形成LED结构，并省去GaAs衬底去除和晶片键合透明衬底的复杂工艺。　　二、蓝绿光LED 　　用于氮化镓研究的衬底材料比较多，但是能用于生产的衬底目前只有二种，即蓝宝石Al2O3和碳化硅SiC衬底。　　 1、氮化镓衬底：用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延片膜的晶体品质，降低位元错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材料非常困难，到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过HVPE方法在其他衬底(如Al2O 3、Si C、LGO)上生长氮化镓厚膜，然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分离，分离后的氮化镓厚膜可作为外延用的衬底。这样获得的氮化镓厚膜优点非常明显，即以它为衬底外延的氮化镓薄膜的位元错密度，比在Al2O 3、SiC上外延的氮化镓薄膜的位元错密度要明显低;但价格昂贵。因而氮化镓厚膜作为半导体照明的衬底之用受到限制。　　 2、蓝宝石Al2O3衬底：目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是Al2O 3，其优点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟;不足方面虽然很多，但均一一被克服，如很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服，导电性能差通过同侧 P、N电极所克服，机械性能差不易切割通过雷射划片所克服，很大的热失配对外延层形成压应力因而不会龟裂。但是，差的导热性在器件小电流工作下没有暴露出明显不足，却在功率型器件大电流工作下问题十分突出。　　 3、SiC衬底：除了Al2O3衬底外，目前用于氮化镓生长衬底就是Si C，它在市场上的占有率位居第 2，目前还未有第三种衬底用于氮化镓LED的商业化生产。它有许多突出的优点，如化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等，但不足方面也很突出，如价格太高、晶体品质难以达到Al2O3和Si那麼好、机械加工性能比较差。另外，SiC衬底吸收380nm以下的紫外光，不适合用来研发380nm以下的紫外LE D。由于SiC衬底优异的的导电性能和导热性能，不需要像Al2O3衬底上功率型氮化镓LED器件采用倒装焊技术解决散热问题，而是采用上下电极结构，可以比较好的解决功率型氮化镓LED器件的散热问题。目前国际上能提供商用的高品质的SiC衬底的厂家只有美国CREE公司。　　 4、Si衬底：在硅衬底上制备发光二极体是本领域中梦寐以求的一件事情，因为一旦技术获得突破，外延片生长成本和器件加工成本将大幅度下降。Si片作为GaN材料的衬底有许多优点，如晶体品质高，尺寸大，成本低，易加工，良好的导电性、导热性和热稳定性等。然而，由于GaN外延层与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失配，以及在GaN的生长过程中容易形成非晶氮化硅，所以在Si衬底上很难得到无龟裂及器件级品质的GaN材料。另外，由于硅衬底对光的吸收严重，LED出光效率低。　　 5、ZnO衬底：之所以ZnO作为GaN外延片的候选衬底，是因为他们两者具有非常惊人的相似之处。两者晶体结构相同、晶格失配度非常小，禁带宽度接近(能带不连续值小，接触势垒小)。但是，ZnO作为GaN外延衬底的致命的弱点是在GaN外延生长的温度和气氛中容易分解和被腐蚀。目前，ZnO半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件，主要是材料品质达不到器件水准和P型掺杂问题没有真正解决，适合ZnO基半导体材料生长的设备尚未研制成功。今后研发的重点是寻找合适的生长方法。但是，ZnO本身是一种有潜力的发光材料。ZnO的禁带宽度为3.37e V，属直接带隙，和Ga N、Si C、金刚石等宽禁带半导体材料相比，它在380nm附近紫光波段发展潜力最大，是高效紫光发光器件、低阈值紫光半导体雷射器的候选材料。ZnO材料的生长非常安全，可以采用没有任何毒性的水为氧源，用有机金属锌为锌源。　　 6、ZnSe衬底：有人使用MBE在ZnSe衬底上生长ZnCdSe/ZnSe等材料，用于蓝光和绿光LED器件，最先由住友公司推出，由于其不需要荧光粉就可以实现白光LED的目标，故可降低成品，同时电源回路构造简单，其操作电压也比GaN白光LED低。但是其并没有推广，这是因为由于使用MOCV D，p型参杂没有很好解决，试验中需要用到Sb来参杂，所以一般采用MBE生长，同时其发光效率较低，，而且由于自补偿效应的影响，使得其性能不稳定，器件寿命较短。现在蓝宝石衬底是最为广泛应用的，晶体主要材料来自美国，俄罗斯，台湾，大陆也开始慢慢起来了

蓝宝石的加工处理

在高温处理下，颜色太黑或深蓝的澳洲蓝宝会变得较浅色。斯里兰卡的白刚玉则可变蓝，而浅黄宝也可以改变为较深而暖和的黄色。总而言之有5方面的应用： A：削弱深色蓝宝石的蓝色（氧化条件下） B：加深蓝宝石的蓝色（还原条件下） C：去除蓝宝石中丝状包体和发育不好的星光（加热后迅速冷却） D：产生星光（加热后缓慢冷却） E：将浅黄色，黄绿色刚玉在氧化条件下加热处理变成橘黄色至金黄色的蓝宝石。　　不幸的是，这种人工处理方法不容易鉴别。但高温处理会令宝石变得脆弱，更可能使宝石内部出现裂痕。很多巿面上的刚玉均经过高温处理。由于这方法是模仿天然的过程进行宝石的复制，宝石颜色转变後不会变褪，这做法在业内是可接受的，但诚实的商人必会对顾客声明。高温处理会令裂痕更明显，因此多选用清澈(内含物少)但颜色质差宝石作此人工处理。产自山东（昌乐）蓝宝石矿区的多经过退色处理，在退色处理时原料一般采用本身质地良好，色泽较深，退色工艺技术成熟，市面上出售的山东蓝宝石一部分是退色处理之后的。这做法在业内是可接受的，诚实的商人必会对顾客声明。蓝宝石玻璃加工,以前用fujimi的抛光液成本较高，速率很低，saintgobain的氧化铝抛光液出来后抛光速率有了较大改善,国内的纳迪微电子也是做氧化铝抛光液，根据试用情况来看，他的去除率要好于国外品牌，光洁度稍弱有待改善，价格当然便宜很多，要不要用自己综合考虑吧

生产蓝宝石衬底的企业是否同时生产外延片?金属有机物气相外延(.

生产蓝宝石衬底的企业暂时没有几个在同时生产外延片，除了向三安光电那样做了外延片之后又往前做衬底片的，因为外延片的资本技术等投入不是一下两下就能搞的定的，像蓝晶四联只做衬底，不做外延，但是四联可以做后道封装，所以大部分的衬底厂家不做外延片。 MOCVD是氮化镓层在蓝宝石衬底片上生长的一种方法，又是因为这样的方法，所以一般又把这种机器叫MOCV D，MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和 V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。泡生法是一种蓝宝石晶体的长晶方法，又叫KY（Kyropoulos）法，这种方法是将一根受冷的籽晶与熔体接触，如果界面的温度低于凝固点，则籽晶开始生长，为了使晶体不断长大，就需要逐渐降低熔体的温度，同时旋转晶体，以改善熔体的温度分布。也可以缓慢的（或分阶段的）上提晶体，以扩大散热面。 MOCVD跟泡生法两者没有什么关联，如果非要说联系，那就说泡生法生长的晶体材料的品质问题会在MOCVD外延后有一定的体现。希望对你有用。期待看到有用的回答！